型号：IR2111STRPBF
厂家：IR/国际整流器
类别：集成电路 (IC)
家庭：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
系列：-
配置：高端和低端，同步
输入类型：非反相
延迟时间：750ns
电流 - 峰：250mA
配置数：1
输出数：2
高端电压 - 最大（自引导启动）：600V
电源电压：10 V ~ 20 V
工作温度：-40°C ~ 125°C
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SOICN
包装：带卷 (TR)
其它名称：IR2111SPBFTR
标准包装：2500
封装：DIP8
数量：15000
单价：面议
备注：该IR2111 （ S）是一种高电压，高转速动力MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖性高，低侧参考输出通道设计为半桥的应用。专有的HVIC和锁存器免疫CMOS技术使加固单片式结构。逻辑输入与兼容标准CMOS输出。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动器跨导。提供内部死区时间为避免直通输出半桥。该浮动通道可以用来驱动一个N沟道在工作频率高达600伏的高压侧配置功率MOSFET或IGBT。
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特点
•设计为引导操作浮动通道充分运作，以+ 600V耐负瞬态电压的dV / dt免疫
•栅极驱动电压范围为10～ 20V
•欠压锁定两个通道
•CMOS施密特触发与下拉输入
•匹配的传播延迟为两个通道
•内部设置死区时间
•高侧输出的同相输入也
•可用LEAD -FREE
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