型号：FDS6679
品牌：仙童/FAIRCHILD
厂家：FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
描述：30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：PowerTrench®
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：13A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：9 毫欧 @ 13A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：100nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：3939pF @ 15V
功率 - 最大：1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SOICN
包装：带卷 (TR)
标准包装：2,500
批号：2014+
数量：28500
单价：面议
备注：FDS6679这种P沟道MOSFET的设计具体而言，以提高直流/直流整体效率使用同步或传统转换器开关PWM控制器和电池充电器。这些MOSFET的开关速度和更低的比其他的MOSFET具有可比性的栅极电荷RDS （ ON）特定连接的阳离子。其结果是一个MOSFET，很容易和更安全的驾驶（即使是在非常高的频率） ，并且DC / DC电力电源设计具有更高的整体效率。
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特点•-13 ， -30 V. řDS （ ON）= 9毫欧@ VGS= –10 VRDS （ ON）= 13毫欧@ VGS= – 4.5 V
•扩展VGSS范围（ -25V ）电池应用
•高性能沟道技术极低RDS （ ON）
•高功率和电流处理能力
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