TLC272CDR精密双运算放大器
调整的偏移电压：tlc277。..500μV MAX 25°C，VDD = 5 V输入失调电压漂移。..通常0.1μV /月，包括电源电压范围宽的第一个30天以上
指定的温度范围：
0°C 70°C。..3 V至16V
–40°C 85°C。..4 V至16V
–55°C 125°C。..4 V至16V
单电源供电的共模输入电压范围 低于负铁路延伸（架C -后缀，i-suffix类型）
低噪声。..通常为25纳伏/赫兹√f= 1千赫输出电压范围包括负轨高输入阻抗。..1012Ω典型ESD保护电路封装选项也可在磁带和卷轴 描述 对TLC272和tlc277精密双运算放大器结合范围广泛的输入失调电压等级低失调电压漂移，高输入阻抗，低噪音，和速度接近通用的设备。这些器件采用德克萨斯仪器silicongate LinCMOS技术，它提供了偏移电压稳定性远超稳定性与传统的金属栅工艺。非常高的输入阻抗，低偏置电流和高转换率，使这些更具成本效益的设备应用的理想之前保留的BiFET和NFET产品。四偏移电压等级可供选择（架C -后缀和i-suffix类型），从低成本的TLC272（10mV）的高精度tlc277（500μV）。这些优势，结合好共模抑制比和电源电压排斥反应，使这些设备的一个很好的选择新的国家的最先进的设计，以及升级现有的设计
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