BSZ100N03LS G
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: Infineon Technologies
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 10 mOhms
配置: Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.1 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
封装: Reel
通道模式: Enhancement
下降时间: 2.4 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 2.6 ns
系列: BSZ100N03
工厂包装数量: 5000
