TK10A60D
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
商标: Toshiba
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 10 A
Rds On-漏源导通电阻: 750 mOhms
配置: Single
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 25 nC
Pd-功率耗散: 45 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
下降时间: 100 ns
上升时间: 55 ns
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 15 ns
