型号： IRF8910PBF
品牌：IR/国际整流器
描述：HEXFET Power MOSFET
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 阵列
系列：HEXFET®
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：10A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：13.4 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.55V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：11nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：960pF @ 10V
功率 - 最大：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SO
包装：管件
标准包装：95
批号：2014+
数量：15000
单价：面议
备注：深圳市勤思达科技有限公司现货库存热卖 IRF8910PBF ，诚信经营，品质保证，公司常备大量的现货，部分型号可以直接原厂订货，货期短，品质保证，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。
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