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IRFS23N15DPBF N通道场效应年 贴片SOT-263 全新IR原装美国进口

2025-8-13 12:00:00
  • 型号: IRFS23N15DPBF 品牌:IR/国际整流器 标准包装:50 类别:分离式半导体产品 家庭:FET - 单 系列:HEXFET® FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准型 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:24A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 14A,10V Id 时的 Vgs

型号: IRFS23N15DPBF

品牌:IR/国际整流器

标准包装:50

类别:分离式半导体产品

家庭:FET - 单

系列:HEXFET®

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:标准型

漏极至源极电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:24A

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 14A,10V

Id 时的 Vgs(th)(最大):5.5V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs:86nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds:1960pF @ 25V

功率 - 最大:3.8W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB

供应商设备封装:D2PAK

包装:管件

其它名称:*IRFS23N20DPBF

数量:10000

单价:面议

备注:深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列场效应管,全新IR原装进口,

大量现货库存热卖 IRFS23N15DPBF,正品原装,品质保证,欢迎广大客户朋友咨询洽谈。

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