包装 带卷 （TR） FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准漏源极电压 (Vdss) 600V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时） 7.3A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）600 毫欧 @ 2.4A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 200μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 20.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 440pF @ 100V功率 - 最大值 63W安装类型 表面贴装封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
