制造商 ： 东芝
产品类别 ： MOSFET
RoHS指令 ： 符合RoHS 详细信息
晶体管极性 ： N沟道
漏源击穿电压 ： 600 V
源极击穿电压 ： 30 V
连续漏极电流 ： 10 A
RDS（ON）： 750毫
配置 ： 单
安装风格 ： 通孔
封装/外壳 ： TO-220-3 FP
包装 ： 体积
品牌 ： 东芝
下降时间： 25纳秒
功耗 ： 450瓦
上升时间 ： 15纳秒
工厂包装数量 ： 50
典型关闭延迟时间 ： 120纳秒
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