制造商 ： 东芝
产品类别 ： MOSFET
RoHS指令 ： 符合RoHS 详细信息
晶体管极性 ： N沟道
漏源击穿电压 ： 500 V
源极击穿电压 ： + / - 30 V
连续漏极电流 ： 15 A
RDS（ON）： 490毫
配置 ： 单
最大工作温度 ： + 150 C
安装风格 ： 通孔
封装/外壳 ： TO-3P
品牌 ： 东芝
下降时间： 65纳秒
最低工作温度 ： - 55 C
功耗 ： 150 W
上升时间 ： 50纳秒
工厂包装数量 ： 50
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