输入功率MOSFET
元素数量1
极性p
渠道模式增强
漏源极on-volt 40v
(Max)20v Gate-Source电压
连续漏电流7a
功耗1.9w
操作温度范围内-55c 150 c
操作温度分类军事
安装面山
销数8
包类型sop
输入功率MOSFET 元素数量1 极性p 渠道模式增强 漏源极on-volt 40v (Max)20v Gate-Source电压 连续漏电流7a 功耗1.9w 操作温度范围内-55c 150 c 操作温度分类军事
输入功率MOSFET
元素数量1
极性p
渠道模式增强
漏源极on-volt 40v
(Max)20v Gate-Source电压
连续漏电流7a
功耗1.9w
操作温度范围内-55c 150 c
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朱先生
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