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分立式导体产品 FDP2532 宏捷佳电子

2025-8-14 15:04:00
  • 数据列表 FDB2532, FDI2532, FDP2532 产品相片 TO-220-3, TO-220AB 产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing 标准包装 50 类别 分立式导体产品 家庭 FET - 单 系列 Powe

数据列表 FDB2532, FDI2532, FDP2532

产品相片 TO-220-3, TO-220AB

产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing

标准包装 50

类别 分立式导体产品

家庭 FET - 单

系列 PowerTrench®

包装 管件

FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能 标准

漏源极电压 (Vdss) 150V

电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 8A (Ta), 79A (Tc)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 33A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 107nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 5870pF @ 25V

功率 - 最大值 310W

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-220-3

供应商器件封装 TO-220AB

产品目录页面 1605 (CN2011-ZH PDF)