图所示的电流检测电路是所谓的欠饱和检测电路。它起初用于igbt，用来检测由于过流而过饱和的 igbt 的电压。这就是说，它也可以用于mosfet（mosfet在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（insulated-gate field effect transist, igfet），而igfet的栅极绝缘层有可能是其他物质而非mosfet使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用igfet，但是这些igfet多半指的是mosfet。）。对于 mosfet，原理相似，因为过载时 fet 上的电压将会显著增加。 来源:qick
