图：cn5610应用电路图
其中：
l1 为电感
流经电阻r6 的电流应该能够满足稳压二极管击穿的需要，也要为cn5610 提供大约1 毫安的工作电流。
c1 是vdd 滤波电容，电容值为10uf
d1 是稳压二极管，因为d1 的击穿电压即是cn5610 的工作电压，所以击穿电压的选择要确保能够驱动片外场效应晶体管m1。对高压场效应晶体管，击穿电压应该在5.8v 左右。
d2 为整流二极管，采用肖特基二极管可以提高转换效率
q1 和q2 是通用pnp 三极管，其型号可根据集电极-发射极需承受的电压来选择。对于输入电压大于200v 的应用，可以选择a94。
m1 是n 型场效应晶体管，其型号的选择主要根据漏-源承受的最高电压确定的，使导通电阻和开启电压尽量低。对于高于200v 的输入电压，可以选择irf840 等型号。
r2 用来设置q2 的集电极电流，该电流可设置在100 微安左右。
r3 设置三极管q1 的集电极电流，使得该电流等于q2 的集电极电流。
r4 用来调整最小电感电流。
r5 用来调整最大电感电流。
r1,r3, r4 和 r5 共同决定了最大电感电流和最小电感电流，具体公式如下：
最大电感电流imax:
imax＝(0.3×r3)／(r1×r5)……………………………(1)
最小电感电流imin:
imin＝(1.22×r3)／(r1×(r4＋r5))……………………(2)
来源:与你同行
