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保护电路应兼有反向电压保护与正向过压保护两种功能。xtr115的保护电路如图所示。反向电压保护电路由二极管整流桥vd1～vd4组成，可防止因将环路电源的极性接反而损坏芯片。整流二极管可选用1n4148型高速硅开关二极管，其主要参数为urm=75v，id=150ma，trr=4ns。采用桥式保护电路之后就不用再考虑环路电源的极性，因为无论us的极性是否接反，它总能保证u+端接得是正电压。鉴于在任何时刻整流桥上总有两只二极管导通，因此在计算环路电压uloop时需扣除两只硅二极管的正向压降之和(约为1.4v)，有公式
过压保护电路采用一只1n4753a型稳压管，其稳定电压为36v，稳定电流为7.0ma。当环路电压过高时就被钳位到36v。实验证明，即使环路电压达到65v，xtr115也不会损坏。为了改善瞬态过压保护特性，还可采用motola公司生产的p6ke39a型瞬态电压抑制器(其英文缩写为tvs，亦称瞬变电压抑制二极管)来代替稳压管。p6ke39a的钳位电压ub=39v，钳位时间仅为1ns，其性能远优于齐纳稳压管。
