磁敏二极管的基本结构及工作原理
磁敏二极管的结构如图24-2所示。它是平面p+-i-n+型结构的二极管。在高纯度半导体锗的两端用合金法做成高掺杂p型区和n型区。i区是高纯空间电荷区,该区的长度远远大于载流子扩散的长度。在i区的一个侧面上,用扩散、研磨或扩散杂质等方法制成高复合区r,在r区域内载流子的复合速率较大。
图:磁敏二极管的结构 来源:university
磁敏二极管的基本结构及工作原理 磁敏二极管的结构如图24-2所示。它是平面p+-i-n+型结构的二极管。在高纯度半导体锗的两端用合金法做成高掺杂p型区和n型区。i区是高纯空间电荷区,该区的长度远远大于载流子扩散的长度。在i区的一个侧面上,用扩散、研磨或扩散杂质等方
磁敏二极管的基本结构及工作原理
磁敏二极管的结构如图24-2所示。它是平面p+-i-n+型结构的二极管。在高纯度半导体锗的两端用合金法做成高掺杂p型区和n型区。i区是高纯空间电荷区,该区的长度远远大于载流子扩散的长度。在i区的一个侧面上,用扩散、研磨或扩散杂质等方法制成高复合区r,在r区域内载流子的复合速率较大。
图:磁敏二极管的结构 来源:university