由MOSFET等构成的自激式降压型斩波器电路图

2013-10-26 16:02:00
  •   如图是由mosfet等构成的自激式降压型斩波器电路。a1加正反馈进行振荡,其振荡频率由扼流圈l1和正反馈电阻r1决定。当振荡频率高到2ookhz时,扼流圈和滤波电容可小型化,输出变动的响应特性也可得到改善。开关元件vt1采用功率mosfet管,当vt1截止时,扼流圈

如图是由mosfet等构成的自激式降压型斩波器电路。a1加正反馈进行振荡,其振荡频率由扼流圈l1和正反馈电阻r1决定。当振荡频率高到2ookhz时,扼流圈和滤波电容可小型化,输出变动的响应特性也可得到改善。开关元件vt1采用功率mosfet管,当vt1截止时,扼流圈l1感应的反向电压通过续流二极管vd5供给负载。输出电压通过r2加到a1的同相输入端 ,并与加在其反相输大端的5v基准电压进行比较,a1输出通过vt2控制vt1导通或截止。当输出电压的峰值超过6v时,过电压检测电路动作,使vt1可靠截止。

vt1导通时,栅极电压要比28v电源电压高1ov。vt1截止时,28v电源通过vd4、r3对电容c1进行充电。vt1导通,源极电压随之升高,c1释放的电荷通过r4对栅极进行充电而得到足够的栅极电压。c1的容量要为vt1输入电容的10倍,这里选用0.1μf。vd4是用于防止c1电荷泄漏到电源端的二极管,由vt3、c2、r5、vd6、vd7和r6构成软启动电路。在vt3的放大期间,vt1栅极电压逐渐升高而使输出电压慢慢上升,上升到额定输出电压时vt3截止,从而达到软启动的目的。