如图所示，是输出10ow的低频mos fet功率放大器电路。电路的输出功率为100～150w，在输出级与激励级采用功率mos fet，目的是改善频率特性。用mos fet（vt5～vt8）构成的电流镜将差动输出（vt1～vt2）变换为单端输出。vt9产生输出晶体管的栅极偏压，用rp1设定该偏压,使无信号时输出晶体管的输出电流约为0.1a。vt10和vt11构成过流保护电路，输出晶体管vt12～vt15的源极接的0．51ω电阻用于检测输出电流。输出级采用功率mos fet，当接感性负载时易产生振荡，为此，在其栅极串联的rg选用几十ω～1kω的电阻，r1和c2用于改善感性负载时稳定性，其参数也与振荡有关，因此，要根据需要改变其参数。
欢迎转载,信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com）
