如图所示，是高gm低噪声j-fet并联连接的低噪声前置放大器电路。若j-fet并联的个数为n，则输出噪声就降为。j-fet的电压增益av为av＝gm·rd。工作点选在gm较大处，需要ugs尽量接近于0，即idss附近。另外，漏极电流id与噪声无关。电阻若选用线绕电阻较利于抑制噪声，但一般采用金属膜电阻。电容尽量不要使用电解电容，而使用钽电容。
欢迎转载,信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com）
J-FET并联连接的低噪声前置放大器电路图
2013-10-26 15:56:00
-
如图所示，是高gm低噪声j-fet并联连接的低噪声前置放大器电路。若j-fet并联的个数为n，则输出噪声就降为。j-fet的电压增益av为av＝gm·rd。工作点选在gm较大处，需要ugs尽量接近于0，即idss附近。另外，漏极电流id与噪声无关。电阻若选用线绕电阻
