bjt可以分为同质结bjt和异质结bjt（称hbt: heterojunction bipolar transist）。mos型器件有cmos，nmos，pmos，mesfet，hemt，phemt，前面三种基本上只能在si上实现，后面三种只能在gaas等化合物半导体商实现。另外还有一些器件具有特殊的衬底：比如说：soi（silicon on insulat），sos（silicon on saphire）。有一种特殊的器件叫jfet，它是单极器件，但是却是依靠控制结势力范围大小来实现电流放大功能的。
来源:lidy
