型号：IRF640NS
品牌：IR
类型：MOS管
类别:分离式半导体产品
家庭: FET - 单
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准型
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 150 毫欧 @ 11A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1160pF @ 25V
功率最大: 150W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
标准包装:800
供应商设备封装: D2PAK
包装 带卷:(TR)
其它名称:IRF640NSTRLPBF-NDIRF640NSTRLPBFTR
其它名称:IRF640NPBF
标准包装: 50
数量：8000
单价：面议
备注：深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品，公司现货供应IRF640NS，绝对正品原装，量大可以接受订货，
货期短，品质包装，欢迎咨询洽谈。
