·Features
1)Maximum optical power output :_7 mW(cw)
2)High power (pulse MAX 10mW)
3)Wavelength ：TYP=655nm
4)High coupling efficiency,The ellipticity (Θ丄/Θ〢)is close to 1.5.
5)5.6mm package.TO-18
·Absolute Maximum Ratings
Parameter/Symbol -------Rating/Unit
1）Light output power/cw-----7mw
2）Light output power/pulse--10mw
3）Reverse voltage/VRL------- 2V
4）Case temperature/Tc------- -10~+70℃
5）Storage temperature/Tstg-- -40~+85℃
·Electrical/optical Characteristics(Tc=25℃)
Parameter/---Symbol-Testconditions--Min/Typ/Max-Unit
1)Threshold current/ith-----cw--------_-_/20_/50_-mA
2)Operating current/iop-cw,po=_5mw--_-_/30_/60_-mA
3)Operating voltage/vop-cw,po=_5mw--_-_/2.3/2.6-V
4)Slope efficiency/--h--cw,po=_5mw--0.2/0.4/0.8-mw/mA
5)Peak wavelength/--λp--cw,po=_5mw--645/655/660-nm
6)Beam divergence angle-cw,po=_5mw--20_/27_/35_-(parallel/Θ丄)
7)Beam divergence angle-cw,po=_5mw--7__/8__/10_-(perpendicular/Θ〢)
半导体激光二极管LD在工作中易退化的四大原因
半导体激光二极管LD本身比较娇嫩，从它刚出现就面临着使用寿命的问题，经过不断的研究改进，目前激光二极管LD的寿命可达1万小时，以能够满足光纤通信使用的需要。激光二极管LD在工作中易退化的原因主要有以下几个方面：
1，半导体激光二极管LD的管芯极小，工作电流密度和光功率密度很高，而作为激光物质的半导体单晶材料又较容易发生缺陷，这些缺陷在电和光的作用下逐渐发展，从而引起器件性能的退化。
2，半导体激光二极管LD的镜面是用解理工艺形成的，镜面本身受到环境条件影响而污染也会也会导致激光二极管LD性能退化。
3，激光二极管LD的管芯焊接也是关键技术，管芯焊在热沉之上，而有源去距离热沉只有几微米；半导体激光二极管LD工作会发热，如果焊料太多，受热时会发生缓慢的攀移，使半导体激光二极管LD发生短路，导致激光二极管LD退化。
4，随着工作时间的延长，激光二极管LD的阈值电流会缓慢增加，从而导致激光二极管LD退化。
详细资料请咨询：
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QQ:1410837839
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