中国，北京，2013年6月18日。Maxim Integrated Products, Inc. (NASDAQ: MXIM)推出DeepCover安全认证器件DS28E35 (现已开始提供样品)，这是一款面向主机控制器外设认证应用的高度安全加密方案。DS28E35内置基于FIPS 186的椭圆曲线数字签名算法(ECDSA)引擎，采用非对称(公钥)加密实现主机控制器与外围设备、传感器或模块之间的质询-响应认证协议。DS28E35通过单引脚1-Wire接口通信，有效降低互联复杂度、简化设计、降低成本。该方案能够为包括医用传感器、工业可编程逻辑控制器(PLC)模块和消费类设备在内的多种应用提供高度安全的加密认证。
ECDSA采用公钥加密算法，主机控制器无需存储和保护认证密钥(而对称加密方案中则需要参与这些工作)，从而有效降低成本和密钥管理复杂度。DS28E35采用一对密钥：一个位于主机侧的公钥和一个存储在DS28E35的对应私钥。ECDSA的一大主要优势在于无需对主机侧公钥进行安全保护，但是对于存储在DS28E35中的私钥仍然需要保护，利用Maxim的DeepCover安全保护技术，可以抵御晶片级的私钥侦测攻击。DeepCover技术包括先进的晶片布线和布局策略、专有的私钥保护方法以及篡改监测电路。
主要优势
ECDSA非对称、公钥加密技术节省设计时间：主机系统无需额外的安全认证密钥存储IC。
高集成度降低成本、简化设计：带1-Wire接口的ECDSA引擎；非易失(NV)存储器；用于生成签名和密钥对的硬件随机数发生器；递减计数器；DeepCover入侵式攻击保护电路。
降低互联复杂度：1-Wire接口采用单个专用引脚通信，有效提高可靠性和系统性能。
可以方便地移植到需要安全认证的主机外设系统。
业界评价
Maxim Integrated执行总监Scott Jones表示：“客户在寻求安全认证方案时，越来越多地将目光投向具有诸多优势的非对称公钥加密技术。我们在专有的高级嵌入式安全技术基础上实现了主要功能的整合，能够提供算法及物理层的双重安全保护，可以方便地将其添加到终端系统”。
IOActive负责半导体安全服务的副总裁Christopher Tarnovsky表示：“基于对称密钥的主机外设安全认证系统最薄弱的环节在于主机器件中的密钥通常无法实现完备的安全保护，采用公钥认证方案则消除了上述安全风险”。
（一）Rad Hard Communication ICs
(1)TSS901E SMCS332, Triple Point to Point IEEE 1355 High Speed controller
TSS901EMA-E 工程样片 Prototype MQFP_L196
(2)AT7908E CAN Controller for Space Application.
AT7908EJLSV 5962-03A0601VXC QML-V
(3)AT7909E Single Chip TeleMetry & TeleCommand (SCTMTC)
AT7909EKA-E 工程样片 Prototype MQFP_F256
(4)AT7910EKB SpW-10X SpaceWire Router
AT7910EKB-E 工程样片 Prototype MQFPF196
AT7910EKB-SV Space Level B MQFPF196
(5)AT7911EFA Triple SpaceWire links high speed controller
AT7911EFA-E 工程样片 Prototype MQFPL196
AT7911EFA-SV 5962-08A0101VXC Space Level B MQFPL196
(6)AT7912EKF Single SpaceWire links high speed controller
AT7912FKF-E 工程样片 Prototype MQFPF100
AT7912FKF-SV QML-V MQFP_F100
(二)Rad Hard FPGAs
(1)AT17LV010-10DP FPGA Configuration EEPROM packaged in the 28-pin 400 mils wide FP package.
AT17LV010-10DP-E 工程样片 Prototype 28-pin Flat Package
AT17LV010-10DP-SV Space Level B 28-pin Flat Package
(2)AT40KFL040 Rad Hard Reprogrammable FPGA with FreeRAM, up to 50K usable gates and 18Kbit SRAM
AT40KFL040KZ1-E 工程样片 Prototype MQFPF 256 (3.3V)
AT40KEL040KW1M-MQ 5962-0325001QXC QML-Q MQFP_F160
AT40KFL040KZ1-SV 5962-0325002VYC QML-V MQFPF 256 (3.3V)
(三)Rad Hard Memories
(1)AT28C010-12DK Space 1M bit Parallel EEPROM with 128-Byte Page & Software Data Protection
AT28C010-12DK-E 工程样片 Prototype FP32.4
AT28C010-12DK-MQ Military Level B FP32.4
AT28C010-12DK-SV Space Level B FP32.4
(2)AT60142F (3.3V) Rad Hard Memory 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM
AT60142F-DS15M-E 工程样片 Prototype FP36.5 grounded lid
AT60142F-DC15M-MQ 5962-0520802QXC QML-Q FP36.5
AT60142F-DS15M-SV 5962-0520802VYC QML-V FP36.5 grounded lid
(3)AT60142FT (5V) Rad Hard Memory 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM
AT60142FT-DS17M-E 工程样片 Prototype FP36.5
AT60142FT-DS17MMQ 5962-0520801QYC QML-Q FP36.5 grounded lid
AT60142FT-DSM17SV 5962-0520801VYC QML-V FP36.5 grounded lid
(4)AT68166FT (3.3V-5V) Rad Hard 16MBit SRAM Multi-chip module
AT68166FT-YS20-E 工程样片 Prototype MQFPT68
AT68166FT-YM25-E 工程样片 Prototype MQFPT68
AT68166FT-YM25-MQ 5962-0622901QXC QML-Q MQFPT68
AT68166FT-YM25-SV 5962-0622901VXC QML-V MQFPT68
(5)AT68166F (3.3V) Rad Hard 16MBit SRAM Multi-chip module
AT68166F-YM20-E 工程样片 Prototype MQFP68
AT68166F-YM20-MQ 5962-0622902QXC QML-Q MQFP68
AT68166F-YM25-SV 5962-0622902VXC QML-V MQFP68
AT68166F-YS18-E 工程样片 Prototype MQFP68
AT68166F-YS18-MQ 5962-0622904QYC QML-Q MQFP68
AT68166F-YM20-SR 5962R0622902VXC QML-V MQFP68
(6)AT68166G Radiation Hardened 512K x 32 Very Low Power CMOS SRAM MCM, 3.3V power supply
AT68166G-YS17-E 工程样片 Prototype MQFP_F68T
AT68166G-YS17-MQ QML-Q MQFP_F68T
AT68166G-YS17-SV QML-V MQFP_F68T
(7)M65608E Rad Tolerant Memory 5V 128Kx8 Very Low Power CMOS SRAM
MMC9-65608EV-30-E 工程样片 Prototype SB32.4
MMC9-65608EV-30MQ 5962-8959847QZC QML-Q SB32.4
SMC9-65608EV-30SV 5962-8959847VZC QML-V SB32.4
MMDJ-65608EV-30-E 工程样片 Prototype FP32.4
MMDJ-65608EV-30MQ 5962-8959847QTC QML-Q FP32.4
SMDJ-65608EV-30SV 5962-8959847VTC QML-V FP32.4
SMDJ-65608EV-30SV 5962-8959847VTC QML-V FP32.4
SMDJ-65608EV-45SV 5962-8959818VTC QML-V FP32.4
(8)M65609E Rad Hard Memory 3.3 Volt 128Kx8 Very Low Power CMOS SRAM
MMDJ-65609EV-40SV 5962-0250101VXC QML-V FP32.4
(9)AT65609EHW Rad Tolerant 8K x 8 - 5v Very Low Power CMOS SRAM
AT65609EHW-C140-E 工程样片 Prototype SB28.6
AT65609EHW-C140-SV QML-V SB28.6
(10)M67025E Rad Tolerant Memory High Speed 8Kx16 Dual Port RAM
MMK2-67025EV-30-E 工程样片 Prototype MQFP_F84
MMK2-67025EV-30-MQ 5962-9161709QZC QML-Q MQFPF84
(11)M67204 Rad Tolerant Memory High Speed 4Kx9 CMOS Parallel FIFO
MMCP-67204HV-15-MQ 5962-8956810QTC QML-Q SB28.3
SMCP-67204HV-15-SR 5962D8956810VTC SB28.3
SMCP-67204HV-15-SV 5962-8956810VTC QML-V SB28.3
(四)Rad Hard Processors
(1)80C32E Rad Tolerant ROMless version of the 80C52 single chip 8-bit microcontroller.
MC-80C32E-30-MQ 5962-0051801QQC QML-Q Side Brazed 40-pin (.6)
MC-80C32E-30-SV 5962-0051801VQC QML-V Side Brazed 40-pin (.6)
(2)AT697E Rad Hard 32-bit SPARC V8 embedded processor
AT697E-2H-E 工程样片 Prototype MCGA349
AT697E-2E-MQ 5962-0722401QXC QML-Q MCGA349
AT697E-2H-MQ 5962-0722401QXB QML-Q MCGA_349
AT697E-2H-SV
AT697E-KG-E Prototype MQFP_F256
供货信息
采用6引脚TSOC封装和2mm x 3mm、8引脚TDFN-EP封装
工作在-40°C至+85°C温度范围
如需DS28E35安全认证器件高分辨率图片，请查阅附件。
1-Wire和DeepCover是Maxim Integrated Products, Inc. 的注册商标。
