MOSFET N-CH 20V 4.7A 4 WLC
FET型 MOSFET N通道，金属氧化物
FET特点 逻辑电平门
漏极至源极电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C 4.7A
开态Rds（最大）@ Id，VGS 50毫欧，4.5V @ 2A
的Vgs（th）（最大）@ Id 1V@250μA
闸电荷（Qg）@ VGS 9.8nC @4.5V
输入电容（Ciss）@VDS 685pF @ 10V
功率 - 最大 500mW的
安装类型 表面贴装
封装/外壳 4-XFBGA，WLCSP
