FGA180N33ATDTU价格，中文资料，供应商，天泽恒电子

FGA180N33ATD

330V，180A PDP沟道IGBT

特点

•高电流能力

•低饱和电压VCE（SAT）=1.03V@ IC= 40A

•高输入阻抗

•符合RoHS标准

应用

•PDP系统

概述

使用新型沟道IGBT技术，飞兆半导体的新型沟道IGBT系列提供了最佳的性能PDP的应用程序在低传导损耗和开关损耗是必不可少的。