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FGL40N120AND

1200V NPT IGBT

特点

•高速开关

•低饱和电压VCE（SAT）= 2.6 V@ IC= 40A

•高输入阻抗

•CO-PAK，IGBT，FRD：TRR =75ns（典型值）

应用

感应加热，UPS，AC＆DC马达控制和一般

通用变频器。

描述

采用“不扩散核武器条约”技术，飞兆半导体的IGBT系列

提供低传导损耗和开关损耗。和系列

为应用程序提供了一个解决方案，例如感应加热（IH），

马达控制，通用逆变器和不间断

电源（UPS）。