分立半导体产品 > FET - 单 > NTD24N06T4G 深圳市志顺达科技有限公司 13728600456朱先生

2013-5-22 15:34:00
  • 数据列表 NTD24N06 产品相片 TO-263 标准包装 2,500 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 - 包装 带卷 (TR) FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压 (Vdss) 60V 电流 - 连续漏极 (Id

数据列表 NTD24N06

产品相片 TO-263

标准包装 2,500

类别 分立半导体产品

家庭 FET - 单

系列 -

包装 带卷 (TR)

FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能 标准

漏源极电压 (Vdss) 60V

电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 24A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 42 毫欧 @ 10A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 48nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1200pF @ 25V

功率 - 最大值 1.36W

安装类型 表面贴装

封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

供应商器件封装 DPAK-3

其它名称 NTD24N06T4GOS

NTD24N06T4GOS-ND

NTD24N06T4GOSTR

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