LTC1255双24V高侧MOSFET驱动器
特点
充分提高N沟道功率MOSFET
12µ待机电流
在9V电源电压24V
短路保护
易受电源
控制开关的接通和断开时间
没有外部电荷泵组件
标准逻辑系列兼容
可在8引脚SOIC
典型应用
描述
该LTC1255双高边驱动器允许使用低成本的N沟道FET的高副工业和汽车开关应用。内部电荷泵升压栅极驱动电压的正上方导轨,充分提高一个N沟道MOS开关无需外部元件。低功率运行,12µ待机电流,允许使用在几乎所有的系统最大效率。包括在芯片是独立的过流检测提供短路的情况下自动关机。时间延迟可以被添加到当前的意识来防止误触发在高冲击电流负载。LTC1255操作从9V至24V的供应,也适用于工业和汽车应用。该LTC1255两个8引脚DIP和8引脚SOIC是可用的。
封装
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的SO - 8,R-4
订购信息
以PBF结尾的器件型号表示这些是无铅型器件如需了解有关含铅涂层器件的信息,请与凌力尔特公司联系。
型号当中包含TR或TRM的器件分别采用卷带装或500片微型卷带装的形式进行装运。
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演示电路板
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应用
电磁驱动
直流电机驱动
步进电机的驱动程序
灯驱动器/调光器
继电器驱动
低频H桥
P沟道开关更换