1300 nm 28 Gbps NRZ I-TEMPERATURE DFB LASER DIODE CHIPS

FEATURES • Designed for uncooled 28 Gb/s NRZ operating -40 to 90 °C • Qualified according to GR-468 for use in nonhermetic • packages • Excellent reliability • Top anode and backside cathode configuration • RoHS compliant • Available wavelengths · 1270 nm, 1310 nm, and 1330 nm APPLICATIO

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Coherent

高意

1300nm 28 Gb/s NRZ I-temperature DFB激光二极管芯片

专为非制冷的28Gbps NRZ设计操作温度-20°C至95°C根据GR-468，在非封闭包件中使用时合格。卓越的可靠性顶部阳极和背面阴极配置符合RoHS标准可用波长CWDM 1270纳米至1370纳米LWDM 1269.23纳米至1318.35纳米。

II-VI

INDIEMICRO/
QFN20

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英迪芯微
QFN-20

英迪芯微

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INDIESEMI英迪芯
QFN

INDIESEMI英迪芯

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