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INA819ID.B	文件：2.95284 Mbytes Page：51 Pages	丝印：INA819；Package：SOIC(D)；INA819 35-μV Offset, 8-nV/√Hz Noise, Low-Power, Precision Instrumentation Amplifier 1 Features • Low offset voltage: 10 μV (typ), 35 μV (max) • Gain drift: 5 ppm/°C (G = 1), 35 ppm/°C (G > 1) (max) • Noise: 8 nV/√ Hz • Bandwidth: 2 MHz (G = 1), 270 kHz (G = 100) • Stable with 1-nF capacitive loads • Inputs protected up to ±60 V • Common-mode rejection: 110 dB, G = 10 (min 文件：2.95284 Mbytes 页数：51 Pages	TI 德州仪器	TI
INA819IDGKR	文件：2.2706 Mbytes Page：45 Pages	INA819 35-關V Offset, 8-nV/?숰z Noise, Low-Power, Precision Instrumentation Amplifier 文件：2.2706 Mbytes 页数：45 Pages	TI 德州仪器	TI
INA819IDGKR	文件：1.87616 Mbytes Page：44 Pages	35-關V Offset, 8-nV/?숰z Noise, Low-Power, Precision Instrumentation Amplifier 文件：1.87616 Mbytes 页数：44 Pages	TI 德州仪器	TI
INA819IDGKR	文件：2.95284 Mbytes Page：51 Pages	INA819 35-μV Offset, 8-nV/√Hz Noise, Low-Power, Precision Instrumentation Amplifier 1 Features • Low offset voltage: 10 μV (typ), 35 μV (max) • Gain drift: 5 ppm/°C (G = 1), 35 ppm/°C (G > 1) (max) • Noise: 8 nV/√ Hz • Bandwidth: 2 MHz (G = 1), 270 kHz (G = 100) • Stable with 1-nF capacitive loads • Inputs protected up to ±60 V • Common-mode rejection: 110 dB, G = 10 (min 文件：2.95284 Mbytes 页数：51 Pages	TI 德州仪器	TI

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