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INA333AIDGKR	文件：935.08 Kbytes Page：35 Pages	丝印：I333；Package：VSSOP；INA333 Micro-Power (50μA), Zerø-Drift, Rail-to-Rail Out Instrumentation Amplifier 1 Features 1• Low Offset Voltage: 25 μV (Maximum), G ≥ 100 • Low Drift: 0.1 μV/°C, G ≥ 100 • Low Noise: 50 nV/√Hz, G ≥ 100 • High CMRR: 100 dB (Minimum), G ≥ 10 • Low Input Bias Current: 200 pA (Maximum) • Supply Range: 1.8 V to 5.5 V • Input Voltage: (V–) +0.1 V to (V+) –0.1 V • Output Ra 文件：935.08 Kbytes 页数：35 Pages	TI 德州仪器	TI
INA333AIDGKR	文件：1.38542 Mbytes Page：35 Pages	丝印：I333；Package：VSSOP(DGK)；INA333 Micro-Power (50μA), Zerø-Drift, Rail-to-Rail Out Instrumentation Amplifier 1 Features 1• Low Offset Voltage: 25 μV (Maximum), G ≥ 100 • Low Drift: 0.1 μV/°C, G ≥ 100 • Low Noise: 50 nV/√Hz, G ≥ 100 • High CMRR: 100 dB (Minimum), G ≥ 10 • Low Input Bias Current: 200 pA (Maximum) • Supply Range: 1.8 V to 5.5 V • Input Voltage: (V–) +0.1 V to (V+) –0.1 V • Output Ra 文件：1.38542 Mbytes 页数：35 Pages	TI 德州仪器	TI
INA333AIDGKR	文件：762.83 Kbytes Page：25 Pages	Micro-Power (50mA), Zer첩-Drift, Rail-to-Rail Out Instrumentation Amplifier 文件：762.83 Kbytes 页数：25 Pages	TI 德州仪器	TI
INA333AIDGKR	文件：651.08 Kbytes Page：23 Pages	Micro-Power (50uA), Zer첩-Drift, Rail-to-Rail Out Instrumentation Amplifier 文件：651.08 Kbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
INA333AIDGKR	文件：652.47 Kbytes Page：23 Pages	Micro-Power (50mA), Zero -Drift, Rail-to-Rail Out Instrumentation Amplifier 文件：652.47 Kbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
INA333AIDGKR	文件：875.82 Kbytes Page：25 Pages	Micro-Power (50mA), Zer첩-Drift, Rail-to-Rail Out Instrumentation Amplifier 文件：875.82 Kbytes 页数：25 Pages	TI 德州仪器	TI
INA333AIDGKR	文件：1.24171 Mbytes Page：33 Pages	Zero-Drift, Rail-to-Rail Out Instrumentation Amplifier 文件：1.24171 Mbytes 页数：33 Pages	TI 德州仪器	TI
INA333AIDGKR	文件：860.29 Kbytes Page：26 Pages	Micro-Power (50mA), Zer첩-Drift, Rail-to-Rail Out 文件：860.29 Kbytes 页数：26 Pages	TI 德州仪器	TI
INA333AIDGKR.A	文件：1.38542 Mbytes Page：35 Pages	丝印：I333；Package：VSSOP(DGK)；INA333 Micro-Power (50μA), Zerø-Drift, Rail-to-Rail Out Instrumentation Amplifier 1 Features 1• Low Offset Voltage: 25 μV (Maximum), G ≥ 100 • Low Drift: 0.1 μV/°C, G ≥ 100 • Low Noise: 50 nV/√Hz, G ≥ 100 • High CMRR: 100 dB (Minimum), G ≥ 10 • Low Input Bias Current: 200 pA (Maximum) • Supply Range: 1.8 V to 5.5 V • Input Voltage: (V–) +0.1 V to (V+) –0.1 V • Output Ra 文件：1.38542 Mbytes 页数：35 Pages	TI 德州仪器	TI
INA333AIDGKR.A	文件：935.08 Kbytes Page：35 Pages	丝印：I333；Package：VSSOP；INA333 Micro-Power (50μA), Zerø-Drift, Rail-to-Rail Out Instrumentation Amplifier 1 Features 1• Low Offset Voltage: 25 μV (Maximum), G ≥ 100 • Low Drift: 0.1 μV/°C, G ≥ 100 • Low Noise: 50 nV/√Hz, G ≥ 100 • High CMRR: 100 dB (Minimum), G ≥ 10 • Low Input Bias Current: 200 pA (Maximum) • Supply Range: 1.8 V to 5.5 V • Input Voltage: (V–) +0.1 V to (V+) –0.1 V • Output Ra 文件：935.08 Kbytes 页数：35 Pages	TI 德州仪器	TI

详细参数

型号：
INA333AIDGKR
功能描述：
仪表放大器 Lo Pwr Prec Inst Amp
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
输入补偿电压：
150 V
最大输入电阻：
10 kOhms
共模抑制比（最小值）：
88 dB
工作电源电压：
2.7 V to 36 V
电源电流：
200 uA
最大工作温度：
+ 125 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
MSOP-8
封装：
Bulk

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