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INA210CIRSWT	文件：1.46487 Mbytes Page：44 Pages	Voltage Output, Low- or High-Side Measurement, Bidirectional, Zero-Drift Series, Current-Shunt Monitors	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA210CIRSWT	文件：1.46905 Mbytes Page：40 Pages	Voltage Output, Low- or High-Side Measurement, Bidirectional	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
iPS-M210A-LFA-SE	文件：335.62 Kbytes Page：2 Pages	210WhIndustrialPowerStorageSystemwithLithium-IronPhosphateCell	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
IPS-M210A-LID-SE	文件：727.24 Kbytes Page：3 Pages	210WhIntelligentPowerStorageSystem Features Containsenvironmentally-friendly,longlifecyclerechargeablebatteries 170WDCoutputforintegrationofvariousdevices Fanlessdesignforhospitalenvironment Swappablebatterypackdesignforquickandeasyreplacement 2VDCoutputwithsimultaneouspowersupport Sa	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
iPS-M210-LFA-SE	文件：335.62 Kbytes Page：2 Pages	210WhIndustrialPowerStorageSystemwithLithium-IronPhosphateCell	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
IPS-M210-LID-SE	文件：727.24 Kbytes Page：3 Pages	210WhIntelligentPowerStorageSystem Features Containsenvironmentally-friendly,longlifecyclerechargeablebatteries 170WDCoutputforintegrationofvariousdevices Fanlessdesignforhospitalenvironment Swappablebatterypackdesignforquickandeasyreplacement 2VDCoutputwithsimultaneouspowersupport Sa	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
IPS-M210S	文件：727.24 Kbytes Page：3 Pages	210WhIntelligentPowerStorageSystem Features Containsenvironmentally-friendly,longlifecyclerechargeablebatteries 170WDCoutputforintegrationofvariousdevices Fanlessdesignforhospitalenvironment Swappablebatterypackdesignforquickandeasyreplacement 2VDCoutputwithsimultaneouspowersupport Sa	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
IQOV-210F	文件：1.01015 Mbytes Page：3 Pages	OCXOSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IQXT-210	文件：294.47 Kbytes Page：3 Pages	VCTCXOSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IRFD210	文件：173.36 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=1.5ohm,Id=0.60A) DESCRIPTION ThirdGenerationPowerMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedin	IRF International Rectifier	IRF

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