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厂商型号

INA111AP

功能描述

High Speed FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER

丝印标识

INA111AP

封装外壳

PDIP

文件大小

318.94 Kbytes

页面数量

17

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 11:13:00

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INA111AP规格书详情

FEATURES

FET INPUT: IB = 20pA max

HIGH SPEED: TS = 4ms (G = 100, 0.01%)

LOW OFFSET VOLTAGE: 500mV max

LOW OFFSET VOLTAGE DRIFT:

5mV/°C max

HIGH COMMON-MODE REJECTION:

106dB min

8-PIN PLASTIC DIP, SOL-16 SOIC

APPLICATIONS

MEDICAL INSTRUMENTATION

DATA ACQUISITION

DESCRIPTION

The INA111 is a high speed, FET-input instrumentation

amplifier offering excellent performance.

The INA111 uses a current-feedback topology providing

extended bandwidth (2MHz at G = 10) and fast

settling time (4ms to 0.01% at G = 100). A single

external resistor sets any gain from 1 to over 1000.

Offset voltage and drift are laser trimmed for excellent

DC accuracy. The INA111’s FET inputs reduce input

bias current to under 20pA, simplifying input filtering

and limiting circuitry.

The INA111 is available in 8-pin plastic DIP, and

SOL-16 surface-mount packages, specified for the

–40°C to +85°C temperature range.

产品属性

  • 型号:

    INA111AP

  • 功能描述:

    仪表放大器 High Speed FET-Input Instrumentation Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 输入补偿电压:

    150 V

  • 最大输入电阻:

    10 kOhms

  • 共模抑制比(最小值):

    88 dB

  • 工作电源电压:

    2.7 V to 36 V

  • 电源电流:

    200 uA

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 最小工作温度:

    - 40 C

  • 封装/箱体:

    MSOP-8

  • 封装:

    Bulk

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