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IQXO-430	文件：217.58 Kbytes Page：2 Pages	CrystalClockOscillatorSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IRF430	文件：211.24 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDs(on)athighvoltage •Improvedinductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapactiance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliablitiy •TO-3package(Highvol	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF430	文件：141.08 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,4.5A,450V/500V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VGSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF430	文件：21.34 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF430	文件：146.28 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL(Vdss=500V,Rds(on)=1.5ohm,Id=4.5A) TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddi	IRF International Rectifier	IRF
IRF430	文件：56.66 Kbytes Page：7 Pages	4.5A,500V,1.500Ohm,N-ChannelPowerMOSFET 4.5A,500V,1.500Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsa	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF430	文件：153.46 Kbytes Page：3 Pages	4.5A,500V,1.500Ohm,N-ChannelPowerMOSFET Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VGSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchi	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF430	文件：122.44 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,4.5A,450V/500V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VGSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchi	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF430	文件：122.44 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,4.5A,450V/500V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF430	文件：48.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IN430DM
制造商：
Hubbell Wiring Device-Kellems
功能描述：
PS, IEC, REPL, INTERIOR, 4W, 30A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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