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IMYH200R012M1H	文件：4.24411 Mbytes Page：34 Pages	EiceDRIVER™ 1ED314xMU12F (1ED-X3 Compact) Features •Single-channelisolatedgatedriver •Forusewith600V/650V/1200V/1700V/2300VIGBTs,SiandSiCMOSFETs •Upto6.5Atypicalpeakoutputcurrent •45nspropagationdelaywith7nspart-to-partmatching(skew) •35Vabsolutemaximumoutputsupplyvoltage •Highcommon-mode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IMYH200R012M1H	文件：1.86416 Mbytes Page：16 Pages	CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET Features •VDSS=2000VatTvj=25°C •IDCC=123AatTc=25°C •RDS(on)=12mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V •Robustbodydiodeforhardcommutation •.XTinterconnectiontechnologyforbest-in-classthermal	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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IMYH200R012M1H

文件：4.24411 Mbytes

Page：34 Pages

EiceDRIVER™ 1ED314xMU12F (1ED-X3 Compact)

Features •Single-channelisolatedgatedriver •Forusewith600V/650V/1200V/1700V/2300VIGBTs,SiandSiCMOSFETs •Upto6.5Atypicalpeakoutputcurrent •45nspropagationdelaywith7nspart-to-partmatching(skew) •35Vabsolutemaximumoutputsupplyvoltage •Highcommon-mode

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

IMYH200R012M1H

文件：1.86416 Mbytes

Page：16 Pages

CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET

Features •VDSS=2000VatTvj=25°C •IDCC=123AatTc=25°C •RDS(on)=12mΩatVGS=18V,Tvj=25°C •Verylowswitchinglosses •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V •Robustbodydiodeforhardcommutation •.XTinterconnectiontechnologyforbest-in-classthermal

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市川蓝电子科技有限公司	IMYH200R012M1H	INFINEON	23+	PG-TO247-4	14253	原包装原标现货,假一罚十,	询价
深圳市星辰微电科技有限公司	IMYH200R012M1H	Infineon	23+	PG-TO247-4	15500	英飞凌优势渠道全系列在售	询价
深圳市亿联芯电子科技有限公司	IMYH200R012M1HXKSA1	Infineon Technologies	23+	PG-TO247-4	3652	原厂正品现货供应SIC全系列	询价
上海皇华信息科技有限公司	IMYH200R012M1HXKSA1	Infineon			224	只做正品	询价
深圳市力通伟业半导体有限公司	IMZ1	ROHM	13+		56620	特价热销现货库存	询价
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深圳市博浩通科技有限公司	IMZ1	ROHM	23+	SOT-163	94000	全新原装现货	询价
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更多IMYH200R012M1H供应商更新时间2024-9-25 10:02:00

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