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INA233	文件：681.89 Kbytes Page：48 Pages	High-SideorLow-SideMeasurement,BidirectionalCurrentandPowerMonitorWithI2C-,SMBus-,andPMBus-CompatibleInterface	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
INA233AIDGSR	文件：681.89 Kbytes Page：48 Pages	High-SideorLow-SideMeasurement,BidirectionalCurrentandPowerMonitorWithI2C-,SMBus-,andPMBus-CompatibleInterface	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
INA233AIDGST	文件：681.89 Kbytes Page：48 Pages	High-SideorLow-SideMeasurement,BidirectionalCurrentandPowerMonitorWithI2C-,SMBus-,andPMBus-CompatibleInterface	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
IRF233	文件：212.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF233	文件：177.14 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF233	文件：69.65 Kbytes Page：7 Pages	8.0Aand9.0A,150Vand200V,0.4and0.6Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF233	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF233	文件：48.23 Kbytes Page：2 Pages	HighPower,HighSpeedApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF233	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF233	文件：155.57 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMosfets	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP

详细参数

型号：
IMX233-OLINUXINO-MINI
功能描述：
开发板和工具包 - ARM OLINUXINO MINI LINUX SBC FREESCALE iMX233
RoHS：
否
制造商：
Arduino
产品：
Development Boards
工具用于评估：
ATSAM3X8EA-AU
核心：
ARM Cortex M3
接口类型：
DAC, ICSP, JTAG, UART, USB
工作电源电压：
3.3 V

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