IMCQ120R007M2H中文资料CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V G2，采用顶部冷却 Q-DPAK 封装数据手册Infineon规格书

描述 Description

CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、7 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装，专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。

特性 Features

• VDSS = 1200 V @Tvj = 25°C

• IDDC = 181 A @TC = 100°C

• RDS(on) = 7.5 mΩ @VGS = 18 V, Tvj = 25°C

• 极低的开关损耗

• 过载运行最高可达 Tvj = 200°C

• 短路耐受时间 2 µs

• 基准栅极阈值电压

• 具有抗寄生开启能力

• 坚固的体二极管，适用于硬换向

• .XT互连技术

应用 Application

• 电动汽车充电