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深圳市金华微盛电子有限公司

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IMB1A

CHINAXYJSMD

20000

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原厂渠道,提供技术支持

深圳市河锋鑫科技有限公司

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ROHM/罗姆SOT23-6

1990

05+

原装正品 可含税交易

深圳市创新迹电子有限公司

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ROHM/罗姆SOT-163

9000

2021+

原装现货,随时欢迎询价

深圳市河锋鑫科技有限公司

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NULLNULL

31518

17+

原装正品 可含税交易

深圳市创新迹电子有限公司

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ROHMSOT-163

20000

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公司只做原装 品质保障

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ROHM/罗姆SOT23-6

2900

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深圳市振宏微科技有限公司

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SOT-163NA

15659

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振宏微专业只做正品,假一罚百!

深圳市华斯顿科技有限公司

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ROHMSot-163

29799

25+23+

绝对原装正品全新进口深圳现货

深圳市一线半导体有限公司

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ROHMSOT-163SOT-23-6

9200

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新进库存/原装

上海金庆电子技术有限公司

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ROHMSOT23-6

2909

99+

全新 发货1-2天

洪芯国际半导体(深圳)有限公司

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ROHMDIP-14

86720

26+

全新原装正品价格最实惠 假一赔百

深圳市科翼源电子有限公司

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ROHMSOT-163

5500

23+

原厂原装正品

深圳市莱克讯科技有限公司

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ROHMSOT-163

35689

最新

原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货

深圳市威雅利发展有限公司

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ROHMSOT-163

3000

89+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

京海半导体(深圳)有限公司

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ROHM/罗姆SOT-163SMT6SC-74

10000

25+

原装现货假一罚十

深圳市能元时代电子有限公司

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ROHMSOT-163

36264

23+

##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术

深圳市弘为电子有限公司

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ROHM原厂封装

3000

24+

原装现货假一罚十

深圳市博中泰实业有限公司

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ROHM/罗姆SOT23-6

90000

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全新原装现货

深圳市安富世纪电子有限公司

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ROHMSOT-163

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全新原装正品现货,支持订货

深圳市宸远科技有限公司

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IMB1功能描述:TRANSISTOR | SO

IMB10功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO

IMB100制造商:AXIOMTEK 制造商全称:AXIOMTEK 功能描述:2 DDR2-533/667/800 DIMM support up to 2GB

IMB100VGGA制造商:Axiomtek Co Ltd 功能描述:LGA775 + Q965 + ICH8 WITH CRT/DUAL GE/AUDIO/1394A - Bulk

IMB10A制造商:ROHM 功能描述:LEAK ABSORB PNPx2 SMD(Surface Mount) Transistor SMT5 / 6 300mW 制造商:ROHM 功能描述:LEAK ABSORB PNPx2 SMD(Surface Mount) Transistor SMT5 / 6 300mW - free partial T/R at 500.

IMB10AT110功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL PNP 50V 100MA SOT-457 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel

IMB10W制造商:Hubbell Premise Wiring 功能描述:Infine Station Module Straight Blank

IMB11功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SO

IMB11A制造商:ROHM 功能描述:DIVIDER TYPE PNPx2 SM DIGITAL TRANSISTOR SMT5 / 6 - free partial T/R at 500.

IMB11AT110功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL PNP 50V 50MA SOT-457 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel