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SR32_V01	文件：52.59 Kbytes Page：4 Pages	3.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE LowForwardVoltage EpitaxialConstructionwithOxidePassivation GuardRingforTransientandESDProtection SurgeOverloadRatingto100APeak LowPowerLoss FastSwitching IdeallySuitedforUseinHighFrequency SMPS,InvertersandAsFreeWheelingDiodes	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
SS32_V01	文件：1.036339 Mbytes Page：4 Pages	Surface-MountSchottkyBarrierRectifier FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Auto	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SS32_V01	文件：654.35 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
SS32_V01	文件：412.26 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRecitifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
SS32_V01	文件：471.87 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifier	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
SS32_V01	文件：493.98 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ·Lowprofilepackage ·Lowpowerlosses,highefficiency ·Lowforwardvoltagedrop ·Highsurgecapability ·Hightemperaturesoldering： 260℃/10secondsatterminals ·Componentinaccordance RoHS2011/65/EUandWEEE2002/96/EC	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
SS32_V01	文件：500.13 Kbytes Page：2 Pages	20V-200V3.0A Features PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Forsurfacemountapplications Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop Lowprofilepackage built-instrainre	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
SS32_V01	文件：597.07 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Forsurfacemountedapplications Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Lowpowerloss,highefficiency Built-instrainrelief,idealforautomatedplacement Highforwardsurgecurrentc	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
STBV32_V01	文件：217.18 Kbytes Page：11 Pages	Highvoltagefast-switchingNPNpowertransistor Features ■Highvoltagecapability ■Lowspreadofdynamicparameters ■Minimumlot-to-lotspreadforreliableoperation ■Veryhighswitchingspeed Applications ■Compactfluorescentlamps(CFLS) ■SMPSforbatterycharger Description Thedeviceismanufacturedusinghighvoltage mu	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STM32_V01	文件：140.5 Kbytes Page：6 Pages	Leading-edgearchitecturewithCortex-M3core ■Harvardarchitecture ■1.25DMIPS/MHzand0.19mW/MHz ■Thumb-2instructionsetbrings32-bitperformance with16-bitcodedensity ■Singlecyclemultiplyandhardwaredivision ■Embedded,fastinterruptcontrollerisnowinsidethe coreallowing: ■Excellentreal-timebehaviour ■Lowla	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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