IKW30N65ET7 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 INFINEON/英飞凌

IKW30N65ET7参考图片

图片仅供参考,请参阅产品规格书

订购数量 价格
1+
  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:IKW30N65ET7品牌:Infineon

原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保

IKW30N65ET7是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商Infineon/Infineon Technologies生产封装标准封装/TO-247-3的IKW30N65ET7晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    IKW30N65ET7

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    INFINEON【英飞凌】详情

  • 厂商全称:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名称:

    英飞凌科技股份公司

  • 内容页数:

    17 页

  • 文件大小:

    1902.13 kb

  • 资料说明:

    Low Loss Duopack: IGBT with Trench and Fieldstop technology

产品属性

更多
  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    IKW30N65ET7XKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.65V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    590µJ(开),500µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    20ns/245ns

  • 测试条件:

    400V,30A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    PG-TO247-3

  • 描述:

    IKW30N65ET7XKSA1

供应商

  • 企业:

    浙江永芯科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    林小姐

  • 手机:

    18758020211

  • 询价:
  • 电话:

    18758020211

  • 地址:

    中国广东深圳市深圳市福田区中航路佳和大厦5C015