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IKW15N120T2 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 INFINEON/英飞凌

IKW15N120T2参考图片

图片仅供参考,请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号:

    IKW15N120T2

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    INFINEON/英飞凌

  • 库存数量:

    5236

  • 产品封装:

    SMD

  • 生产批号:

    21+

  • 库存类型:

    优势库存

  • 更新时间:

    2024-5-4 8:26:00

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原厂料号:IKW15N120T2品牌:INFINEON

十年信誉,只做原装,有挂就有现货!

IKW15N120T2是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商INFINEON/Infineon Technologies生产封装SMD/TO-247-3的IKW15N120T2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    IKW15N120T2

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    INFINEON【英飞凌】详情

  • 厂商全称:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名称:

    英飞凌科技公司

  • 内容页数:

    15 页

  • 文件大小:

    477.64 kb

  • 资料说明:

    IGBT in 2nd generation TrenchStop짰 technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    IKW15N120T2FKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    TrenchStop®

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,15A

  • 开关能量:

    2.05mJ

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    32ns/362ns

  • 测试条件:

    600V,15A,41.8 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT 1200V 30A 235W TO247-3

供应商

  • 企业:

    深圳市凌旭科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

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    张小姐/李先生(正规纳税人企业,可开13%增票,请放心采购)

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