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IJ11022H	文件：1.00722 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMC FILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIofIEC60664andcomply with[EC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Bo	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
IJ11022S	文件：1.00722 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIofIEC60664andcomply with[EC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Bo	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
MJ11022	文件：235.08 Kbytes Page：6 Pages	30AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60.120VOLTS200WATTS ComplementaryDarlingtonSiliconPowerTransistors ...designedforuseasgeneralpurposeamplifiers,lowfrequencyswitchingandmotorcontrolapplications. •HighdcCurrentGain@10Adc—hFE=400Min(AllTypes) •Collector–EmitterSustainingVoltage VCEO(sus	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJ11022	文件：206.76 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(15A,150-250V,175W) 15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTOR150-250VOLTS175WATTS MJ11017,MJ11019,MJ11021=>PNP MJ11018,MJ11020,MJ11022=>NPN	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
MJ11022	文件：81.1 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=250V(Min.) •HighDCCurrentGain- :hFE=400(Min.)@IC=10A •LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=5.0A APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeamplifiers,lowfrequency sw	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJ11022	文件：78.9 Kbytes Page：5 Pages	ComplementaryDarlingtonSiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ11022	文件：21.71 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTOR(SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERSSOLENOIDANDRELAYDRIVERS)	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司	WINGS
MJ11022	文件：235.08 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ11022	文件：132.66 Kbytes Page：5 Pages	ComplementaryDarlingtonSiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ11022	文件：229.8 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonSiliconPowerTransistors ComplementaryDarlingtonSiliconPowerTransistorsaredesigned foruseasgeneralpurposeamplifiers,lowfrequencyswitchingand motorcontrolapplications. Features •HighdcCurrentGain@10Adc−hFE=400Min(AllTypes) •Collector−EmitterSustainingVoltage VCEO(sus)=250Vdc(Min)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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