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IHP10T120	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed 2-Technology • Designed for: - TV – Horizontal Line Deflection • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A - simple Ga 文件：201.5 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IHP10T120	文件：334.69 Kbytes Page：14 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode 文件：334.69 Kbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IHP10T120	文件：376.9 Kbytes Page：14 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode 文件：376.9 Kbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IHP10T120	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode	Infineon 英飞凌	Infineon
IHP10T120	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 16A 138W TO220-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IHP10T120_07	文件：376.9 Kbytes Page：14 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode 文件：376.9 Kbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

产品属性

产品编号：
IHP10T120
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
TrenchStop®
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，10A
开关能量：
1.46mJ
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
45ns/520ns
测试条件：
610V，10A，81 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
PG-TO220-3-1
描述：
IGBT 1200V 16A 138W TO220-3

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