氮化镓 CoolGaN ™ 600V e-mode 功率晶体管 IGLD60R070D1，实现极致效率和可靠性

IGLD60R070D1 CoolGaN™600V 增强型功率晶体管提供快速的开关速度和最小的开关损耗， 并实现最高效率的简单半桥拓扑结构。.\n CoolGaN™600V系列符合全面为GaN而定制的认证，远远超出现有标准。 它针对数据通信和服务器开关电源，电信以及适配器，充电器，无线充电以及其他需要最高效率或功率密度的应用。

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丝印：60R070D1；Package：PG-LSON-8-1；600V CoolGaN??enhancement-mode Power Transistor

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600V CoolGaN??enhancement-mode Power Transistor

Features  Enhancement mode transistor – Normally OFF switch  Ultra fast switching  No reverse-recovery charge  Capable of reverse conduction  Low gate charge, low output charge  Superior commutation ruggedness  Qualified for industrial applications according to JEDEC Standards (JESD

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