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IGC99T120T8RQ分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IGC99T120T8RQ
厂商型号

IGC99T120T8RQ

参数属性

IGC99T120T8RQ 包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 100A DIE

功能描述

1200V trench & field stop technology
IGBT 1200V 100A DIE

文件大小

341.02 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
INFINEON
数据手册

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更新时间

2025-8-2 13:30:00

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IGC99T120T8RQ规格书详情

IGC99T120T8RQ属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IGC99T120T8RQ晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IGC99T120T8RQX7SA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    TrenchStop™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.42V @ 15V,100A

  • 输入类型:

    标准

  • 描述:

    IGBT 1200V 100A DIE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
2021+
DIP-24
9600
原装现货,欢迎询价
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INFINEON/英飞凌
24+
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