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IGC99T120T8RQ分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IGC99T120T8RQ |
| 参数属性 | IGC99T120T8RQ 包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 100A DIE |
| 功能描述 | 1200V trench & field stop technology |
| 文件大小 |
341.02 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | Infineon |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-26 17:35:00 |
| 人工找货 | IGC99T120T8RQ价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IGC99T120T8RQ规格书详情
IGC99T120T8RQ属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IGC99T120T8RQ晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
IGC99T120T8RQX7SA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
TrenchStop™
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.42V @ 15V，100A
- 输入类型：
标准
- 描述：
IGBT 1200V 100A DIE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
N/A |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
MODULE |
5000 |
英飞凌代理渠道只做原装 |
询价 | ||
LS |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
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Infineon/英飞凌 |
24+ |
DIP-24 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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INFINEON |
25+23+ |
MODULE |
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绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
DIP-24 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2021+ |
DIP-24 |
9600 |
原装现货，欢迎询价 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2021+ |
DIP-24 |
499 |
询价 | |||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |
