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IGC27T120T8Q分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IGC27T120T8Q
厂商型号

IGC27T120T8Q

参数属性

IGC27T120T8Q 封装/外壳为模具;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 25A DIE

功能描述

TRENCHSTOPTM IGBT4 High Speed Chip
IGBT 1200V 25A DIE

封装外壳

模具

文件大小

347.11 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
INFINEON
数据手册

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更新时间

2025-8-3 15:01:00

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IGC27T120T8Q规格书详情

IGC27T120T8Q属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IGC27T120T8Q晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

Features:

• 1200V trench & field stop technology

• Low switching losses

• Positive temperature coefficient

• Easy paralleling

Recommended for:

• Discrete components

Applications:

• High frequency drives

• Uninterruptible power supplies

• Welding

• Solar inverters

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IGC27T120T8QX1SA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    TrenchStop™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.42V @ 15V,25A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    模具

  • 描述:

    IGBT 1200V 25A DIE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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