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IFS75B12N3E4_B31_INFINEON/英飞凌_IGBT 模块 MIPAQ BASE 1200V 75A力仕科电子

图片仅供参考，请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号：

    IFS75B12N3E4_B31

  • 产品分类：

    IC芯片

  • 生产厂商：

    Infineon/英飞凌

  • 库存数量：

    6000

  • 产品封装：

    -

  • 生产批号：

    25

  • 库存类型：

    常用库存

  • 更新时间：

    2025-8-2 14:01:00

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原厂料号：IFS75B12N3E4_B31品牌：Infineon/英飞凌

原装正品

  • 芯片型号：

    IFS75B12N3E4_B31

  • 规格书：

    下载

  • 企业简称：

    INFINEON【英飞凌】详情

  • 厂商全称：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名称：

    英飞凌科技股份公司

  • 内容页数：

    8 页

  • 文件大小：

    562.74 kb

  • 资料说明：

    MIPAQ?줮ase Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, Emitter Controlled 4 Diode und Strommesswiderstand

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号：

    IFS75B12N3E4_B31

  • 功能描述：

    IGBT 模块 MIPAQ BASE 1200V 75A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 产品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO：

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压：

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流：

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作温度：

    + 125 C

  • 封装/箱体：

    34MM

供应商

  • 企业：

    深圳市力仕科电子科技有限公司

  • 商铺：

    进入商铺留言

  • 联系人：

    郑生

  • 手机：

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    深圳市福田区华强北街道福强社区深南中路2070号电子科技大厦A座36楼A11

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