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IFS100B12N3E4_B31

MIPAQ?줮ase Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und Strommesswiderstand

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

  • 型号:

    IFS100B12N3E4_B31

  • 功能描述:

    IGBT 模块 MIPAQ BASE 1200V 100A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

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更多IFS100B12N3E4_B31供应商 更新时间2025-5-24 10:49:00