| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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1年
留言
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VishaySMD |
19900 |
工厂原装库存价格优势实单必成 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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8年
留言
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
24+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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12年
留言
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Vishay原装优势现货 |
4000 |
25+ |
原装优势现货 |
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7年
留言
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VISHAY/威世SMD |
4000 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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2年
留言
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VISHAYSMD |
6800 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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6年
留言
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VISHAY/威世24+ |
6666 |
SMD |
专业芯片配单原装正品假一罚十 |
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7年
留言
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VISHAY/威世 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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13年
留言
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VISHAYN/A |
1350 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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7年
留言
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VISHAYN/A |
39800 |
24+ |
原装正品现货支持实单 |
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7年
留言
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Vishay(威世)SMD,4x4mm |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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15年
留言
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XP Power全新-电源模块 |
18402 |
2607+ |
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DC-DC转换器电源模块IFS0105S12交期短价格优#即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
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15年
留言
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VISHAY/威世SMD |
32360 |
25+ |
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VISHAY/威世全新特价IFSC1515AHER3R3M01即刻询购立享优惠#长期有货 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)- |
914 |
24+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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5年
留言
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VISHAY/威世SMD |
8860000 |
22+ |
原装正品,欢迎来电咨询 |
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13年
留言
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VISHAYSMD |
10500 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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13年
留言
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INF |
26976 |
2018+ |
代理原装现货/特价热卖! |
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12年
留言
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VISHAY/威世SMD |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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11年
留言
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VISHAYSMD |
9875 |
2540+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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6年
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VISHAY/威世* |
1949 |
2043 |
IFS采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IFS图片
IFSC1515AHER6R8M01价格
IFSC1515AHER6R8M01价格：￥1.1361品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IFSC1515AHER6R8M01多少钱，想知道IFSC1515AHER6R8M01价格是多少？参考价：￥1.1361。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IFSC1515AHER6R8M01批发价格及采购报价，IFSC1515AHER6R8M01销售排行榜及行情走势，IFSC1515AHER6R8M01报价。
IFSC1515AHER4R7M01中文资料Alldatasheet PDF
更多IFS100B12N3E4_B31功能描述:IGBT 模块 MIPAQ BASE 1200V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IFS100B12N3T4_B31功能描述:IGBT 模块 MIPAQ BASE 1200V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
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IFS1205功能描述:Analog IC
IFS1212功能描述:Analog IC
IFS150B12N3E4_B31功能描述:IGBT 模块 MIPAQ BASE 1200V 150A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
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IFS150V12PT4功能描述:IGBT 模块 MIPAQ SERVE 1200V 150A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IFS200V12PT4功能描述:IGBT 模块 MIPAQ SERVE 1200V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IFS205制造商:IFM ELECTRONICS 功能描述:IND. SENSOR,IFS205
