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IFB112	文件：304.42 Kbytes Page：2 Pages	Robust RISC-based DIN-rail Fanless Embedded System with i.MX 6UL Processor	AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd. 艾讯科技艾讯股份有限公司	AXIOMTEK
IMD112T	文件：760.19 Kbytes Page：38 Pages	iMOTION??IMD111T/IMD112T-Smartdriverformotorcontrol	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IMX112U	文件：1.20853 Mbytes Page：22 Pages	2ConstantVoltageand4ChannelDimmingLEDBacklightCCController ProductHighlights CVand4-ChannelLEDBacklightController •EliminatesbuckandLEDbacklightboostconverters •Oneortwoconstantvoltageoutputs •Independentlyregulatedoutputswithinstantaneoustransient response±5CVon0-100-0loadstep •Typicaloutputvoltages •OneCVmode:	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
IMX112U-TL	文件：1.20853 Mbytes Page：22 Pages	2ConstantVoltageand4ChannelDimmingLEDBacklightCCController ProductHighlights CVand4-ChannelLEDBacklightController •EliminatesbuckandLEDbacklightboostconverters •Oneortwoconstantvoltageoutputs •Independentlyregulatedoutputswithinstantaneoustransient response±5CVon0-100-0loadstep •Typicaloutputvoltages •OneCVmode:	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
IPM-C112	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
IPM-L112	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
IRFD112	文件：112.88 Kbytes Page：2 Pages	POWER-MOSFETFIELDEFFECTPOWERTRANSISTOR POWER-MOSFETFIELDEFFECTPOWERTRANSISTOR ThisseriesofN-ChannelEnhancement-modePowerMOSFETutilizesGEsadvancedPowerDMOStechnologytoachievelowon-resistancewithexcellentdeviceruggednessandreliability. Thisdesignhasbeenoptimizedtogivesuperiorperformanceinmostswitchi	GESS GE Solid State	GESS
IRFF112	文件：176.97 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSField-EffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features •SOAisPowerDissipationLimited •NanosecondSwitchingSpeeds •LinearTransferCharacteristics •HighInputImpedance •Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
IRFF112	文件：474.27 Kbytes Page：2 Pages	IM-CHANIMELPOWERMOSFETsTO-39PACKAGE TheHEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETssuchasvoltagecontrol,freedomfromsecondbreakdown,veryfastswitching,easeofparalleling,andtemperaturestabilityoftheelectricalparameters. TheyarewellsuitedforapplicationssuchasswitchingD	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRKTF112	文件：141.63 Kbytes Page：8 Pages	FASTTHYRISTOR/DIODEandTHYRISTOR/THYRISTOR	IRF International Rectifier	IRF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科雨电子有限公司	IFB48050A120V-122-R	TDK-LAMBDA	20+	电源模块	64	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市星佑电子有限公司	IFB8228DJTSTDTS	KINSEKI	05+	原厂原装	5066	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	IF-BOARD.DP-GEN2	INFINOEN	24+	N/A	90000	一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理	询价
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深圳市显胜光电科技有限公司	IF-BOARD.DP-GEN2	Infineon			1000		询价
天津市博通航睿技术有限公司	IF-BOARD.DP-GEN2	INFINEON	23+		7000		询价
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更多IFB112供应商更新时间2025-5-29 14:01:00

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